CVD系統(tǒng)設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域

　　實驗機理：CVD成長系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)

　　CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點：

　　1 CVD系統(tǒng)兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式

　　2 CVD系統(tǒng)可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長

　　3 CVD系統(tǒng)使用計算機控制，可以設(shè)置多種生長參數(shù)

　　4 CVD系統(tǒng)可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動力學(xué)過程

　　5 CVD系統(tǒng)沉積效率高;薄膜的成分可控，配比范圍大;厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)