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CVD管式爐

更新時間: 2024-08-27

訪問次數(shù): 6747

產(chǎn)品報價:

產(chǎn)品簡介: CVD管式爐設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn),CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外,現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè),包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。

詳細資料:

CVD管式爐此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實驗。

產(chǎn)品組成:

此款CVD系統(tǒng)配置:

1.1200度開啟式真空管式爐(可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū))。

2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

3.真空系統(tǒng)(可選配中真空或高真空)    

CVD管式爐產(chǎn)品特點:

1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù),該技術(shù)控溫精度高,熱慣性小,溫度不過沖,性能可靠,操作簡單。

2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高操作便捷性。

3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能,高真空系統(tǒng)采用高壓強,耐沖擊分子泵防止意外漏氣造成分子泵損壞,延長系統(tǒng)使用壽命。

技術(shù)參數(shù):

系統(tǒng)名稱

1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)

系統(tǒng)型號

CVD-12II-3Z/G

CVD-12II6-3Z/G

極限溫度

1200℃

加熱區(qū)長度

420mm

600mm

恒溫區(qū)長度

280mm

390mm

溫區(qū)

雙溫區(qū)

雙溫區(qū)

石英管管徑

Φ50/Φ60/Φ80mm

Φ80/Φ100mm

額定功率

3.2Kw

4.8Kw

額定電壓

220V

溫度控制

國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫;

控制精度

±1℃

爐管極限工作溫度

<1200℃

氣路法蘭

密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù),在密封法蘭與管外壁間形成了密封,在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效,該密封法蘭的安裝只需在*使用設(shè)備的時候安裝

氣體控制方式

質(zhì)量流量計

氣路數(shù)量

3路(可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量)

流量范圍

0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定

精度

±1%F.S

響應(yīng)時間

≤4sec

工作溫度

5-45℃

工作壓力

進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力)

系統(tǒng)連接方式

采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀

規(guī)格

高真空

系統(tǒng)真空范圍

1x10-3Pa-1x10-1Pa

真空泵

真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V    功率2KW

真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V  功率2KW





爐體外形尺寸

340×580×555mm

480×770×605mm

系統(tǒng)外形尺寸

530x1440x750mm(不含高真空)

系統(tǒng)總重量

330kg



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